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        WLP-8

        WLP-8無掩膜直寫光刻設備應用于晶圓級封裝、系統級封裝、板 級封裝、功率器件、分立元件等先進封裝和芯片制造領域的量產 型直寫光刻設備,光刻精度能夠達到最小線寬2μm,產能30-60片 /小時,支持先進封裝及芯片制造的RDL功能,適用于中試、生產 等量產產線使用。
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        1.產品描述

         

               WLP-8無掩膜直寫光刻設備應用于晶圓級封裝、系統級封裝、板級封裝、功率器件、分立元件等先進封裝和芯片制造領域的量產型直寫光刻設備,光刻精度能夠達到最小線寬2μm,產能30-60片 /小時,支持先進封裝及芯片制造的RDL功能,適用于中試、生產等量產產線使用。

         

        2.產品特點

         

           •  晶圓級封裝及系統級封裝曝光

         

           •  器件直寫曝光功能

         

           •  支持RDL功能

         

           •  高精度環境控制系統

         

           •  支持多種數據輸入格式(GDSⅡ/DXF/CIF/Gerber BMP/TIFF)

         

           •  基于Windows系統,用戶界面方便操作

         

           •  支持背面對準功能

         

        3.技術規格

        設備型號 WLP-8
        最小線寬[μm] 2
        最高產能[wph] 30-60
        套刻精度[3σ, μm ] 0.5
        最大基板尺寸[inch] 12
        線寬均勻性[3σ, μm ] ±10%
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